Koreański gigant, firma Samsung stworzyła pamięci o pojemności 1 gigabajta w technologii 90 nanometrów.
Pamięć ta jest przeznaczona do telefonów komórkowych nowej generacji, w których szyna danych taktowana jest 66MHz. Szyna ta pozwala na uzyskanie prędkości odczytu na poziomie 108Mbps.
Nowa pamięć pozwala na zapis z prędkością 10 Mbps bez żadnego buforowania. Oznacza to, że układ pozwala na zapis fotografii z aparatu o matrycy 5 megapixeli i rejestrowanie filmy bez przerwy. Urządzenie posiada wbudowane funkcje zabezpieczające.
